本发明公开了一种AlN纳米片探测器及其制备方法。该AlN纳米片探测器包括衬底、AlN薄膜、AlN纳米片和叉指电极。其中,AlN纳米片由大量AlN纳米棒水平堆叠而成,且其形貌演变具有周期性。相对于其他的一维AlN纳米结构,本发明制备出的一维AlN材料为单晶材料,晶体质量高,内部缺陷少,因此该AlN纳米片探测器的暗电流大幅减小；同时,一维AlN材料密度非常均匀、形貌高度统一,因此该AlN纳米片探测器的制备加工相对容易。
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