氮化镓基雪崩光电二极管的研制

作者：许金通; 陈俊; 陈杰; 王玲; 储开慧; 张燕; 李向阳; 龚海梅; 赵德刚

来源：激光与红外, 2007, S1: 954-956+960.

• 氮化镓
• 雪崩光电二极管
• 漏电流 GaN
• avalanche photodiodes
• leakage current

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试。测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7A,雪崩增益是3。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院上海技术物理研究所