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摘要
本实用新型公开了一种高线性GaN基毫米波器件。所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层,所述AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构,凸台上方突起部分为有源区,有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极,不同掺杂浓度的p型GaN层位于有源区上表面的源电极和漏电极之间,其中,所述不同掺杂浓度的p型GaN层由不同掺杂浓度,但厚度相同的第一p型GaN和第二p型GaN沿栅宽前后排列形成,并且第一p型GaN的后表面和第二p型GaN的前表面相重合,左右边缘对齐；栅电极位于不同掺杂浓度的p型GaN层的上方。本实用新型提出的在栅极下放置不同掺杂浓度的p型GaN层的结构,有效地调制了器件的阈值电压,提高了器件的线性度。
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