摘要
本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga1-xAlx)2O3的方法,主要解决现有(Ga1-xAlx)2O3材料热传导性差的问题。其实现方案为:1.向Ga2O3上生长的(Ga1-xAlx)2O3材料内部注入氢或氦或氮元素,以在其内部形成与其表面相平行的注入元素层;2.将注入元素层的(Ga1-xAlx)2O3与另一块衬底键合成一个整体;3对该整体进行低温退火并置于剥离液中,使得(Ga1-xAlx)2O3材料在注入元素层处断裂分离,再进行表面抛光和高温退火处理,形成稳定的异质(Ga1-xAlx)2O3材料。本发明提高了异质(Ga1-xAlx)2O3材料的热传导性,可用于制备功率电子器件。
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