基于智能剥离技术制备异质(Ga_1#xAl_x)₂O₃的方法

作者：韩根全; 王轶博; 刘艳; 郝跃

来源：2017-09-14, 中国, ZL201710828652.8.

本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga1#xAlx)2O3的方法,主要解决现有(Ga1#xAlx)2O3材料热传导性差的问题。其实现方案为：1.向Ga2O3上生长的(Ga1#xAlx)2O3材料内部注入氢或氦或氮元素,以在其内部形成与其表面相平行的注入元素层；2.将注入元素层的(Ga1#xAlx)2O3与另一块衬底键合成一个整体；3对该整体进行低温退火并置于剥离液中,使得(Ga1#xAlx)2O3材料在注入元素层处断裂分离,再进行表面抛光和高温退火处理,形成稳定的异质(Ga1#xAlx)2O3材料。本发明提高了异质(Ga1#xAlx)2O3材料的热传导性,可用于制备功率电子器件。

• 单位
  西安电子科技大学