重离子在14-nm FinFET SRAM器件引起的单粒子翻转（英文）

作者：莫莉华; 叶兵; 刘杰; 张战刚; 童腾; 孙友梅; 罗捷

来源：原子核物理评论, 2021, 38(03): 327-331.

• FinFET SRAM
• 重离子
• 单粒子翻转
• 角度效应

通过重离子实验研究了14-nm FinFET工艺静态随机存取存储器（SRAM）的单粒子翻转（SEU）特性。通过使用Weibull函数拟合SEU截面获得该器件的线性能量转移（LET）阈值:0.1 MeV/（mg/cm2）。对多位翻转（MBU）贡献的统计结果表明,当LET等于40.3 MeV/（mg/cm2）时,MBU的占比超过95%。此外,FinFET SRAM的SEU截面呈现出与Fin相关的入射角度的各向异性。该研究对基于FinFET工艺的抗辐射CMOS集成电路（IC）的设计具有一定的指导作用。

• 单位
  中国科学院高能物理研究所; 中国科学院近代物理研究所; 工业和信息化部电子第五研究所; 中国科学院大学