基于InGaP/GaAs HBT的高效率高谐波抑制功率放大器

作者：高思鑫; 张晓朋; 高博; 张欢; 赵永瑞

来源：半导体技术, 2020, 45(12): 957-963.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.12.008

• InGaP/GaAs HBT
• 功率放大器
• 高效率
• 谐波抑制
• 高线性
• S波段

将基于InGaP/GaAs HBT工艺的高线性功率放大器芯片、CMOS控制芯片、输出匹配电路集成于双层基板,研制了一款工作在S波段的高效率、高谐波抑制功率放大器模组(MCM)。通过在输出匹配电路中引入多个LC谐振网络,抑制了输出信号的高次谐波分量,改善了放大器模组的线性度和效率。在电源电压4 V、静态电流220 mA、工作频率1.9～2.1 GHz条件下,其小信号增益大于34.3 dB,1 dB压缩点输出功率大于34.3 dBm,功率附加效率大于44.2%,谐波抑制比小于-55.0 dBc;采用21.6 kHzπ/4正交相移键控(QPSK)方式调制信号,功率放大器模组输出功率为34 dBm时,其误差向量幅度(EVM)小于3.1%,第一邻近信道功率比(ACPR1)小于-31 dBc,第二邻近信道功率比(ACPR2)小于-41 dBc。该放大器模组可广泛应用于卫星通信等领域。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所; 河北新华北集成电路有限公司