二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响

作者：孙运乾; 钟荣峰; 李薇薇^*; 赵之琳; 钱佳

来源：电镀与涂饰, 2021, 40(21): 1631-1636.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2021.21.007

• 蓝宝石晶圆
• 化学机械抛光
• 二氧化硅
• 粒径分布
• 去除速率
• 表面粗糙度

针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的Si O2磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果。结果表明,将粒径为120 nm的40%(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20%(质量分数)硅溶胶按体积比8∶2混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行CMP时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院