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摘要
提出了一种具有高谐波抑制比的低噪声放大器芯片拓扑结构，利用该拓扑结构，设计了一款基于砷化镓pHEMT单片工艺的宽带低噪声放大器芯片，覆盖频段2～6 GHz，相对带宽达到100%。在片测试结果显示，该芯片在整个频段内的增益典型值为25 dB，噪声系数5.5 dB，输出压缩1 dB功率为7 dBm，二次谐波抑制比达到35 dBc，与常规宽带低噪声放大器芯片相比，二次谐波抑制比提高了约15 dB。芯片面积2.6×2.2 mm2。该低噪声放大器芯片可广泛应用于通信系统中，用于信号的接收放大，同时具有良好的谐波抑制能力，有助于提高通信系统的集成度。
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