摘要
目的建立难治性癫痫(refractary epilepsy,RE)大鼠模型,并研究迷走神经刺激(VNS)对其脑电图的影响。方法在氯化锂-匹鲁卡品诱导的颞叶癫痫(temple lobe epilepsy,TLE)大鼠模型基础上,用苯巴比妥钠(PB)进行诱导并筛选出耐药大鼠。将耐药大鼠分成三组,分别为VNS组(进行迷走神经刺激)、假VNS组(植入迷走神经刺激电极但不通电刺激)、EP对照组(不做处理)。对大鼠植入迷走神经刺激电极和脑电图记录电极,然后用视频脑电系统进行同步监控。比较迷走神经刺激前与刺激4周后癫痫发作相关指标的变化。结果(1)视频记录结果显示,迷走神经刺激后的大鼠癫痫平均发作次数较刺激前显著减少(P<0.05);其余两组未见明显变化;(2)脑电图结果显示,迷走神经刺激后的大鼠各项指标(包括每次癫痫发作的平均持续时间、癫痫发作时每秒出现的尖棘波的数目、癫痫发作过程中相邻两个尖棘波在相同时间间隔的个数)较迷走神经刺激前也有统计学意义上的显著性减少(P<0.05);其余两组未见明显变化;(3)脑电信号时间频率图显示,迷走神经刺激后癫痫大鼠脑电频率比刺激前降低,能量峰值未见明显变化,但峰值明显高于同龄正常大鼠。结论(1)在氯化锂-匹鲁卡品诱导的TLE大鼠模型基础上,用PB可以诱导出药物难治性癫痫模型。(2)迷走神经刺激术能够降低该难洽性癫痫模型的癫痫发作次数,尤其是改变其脑电发作模式,这或许是VNS治疗癫痫的的机制之一。
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单位上海交通大学医学院附属仁济医院