一步法制备BN/Si复合团簇结构

作者：任书霞; 籍凤秋; 王建雷; 张光磊

来源：人工晶体学报, 2010, 39(02): 459-464.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.02.041

• BN/Si复合团簇结构
• 一步法
• PL光谱 composite clusters of BN/Si
• one-step route
• PL spectrum

以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶。实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250℃以上的温度才会生成BN/Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物。PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处。

• 单位
  石家庄铁道学院