脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器

作者：刘晓娟; 傅汝廉; 卓然然; 薛兵招; 方涛

来源：光子学报, 2007, (09): 1578-1581.

• 激光二极管阵列(LDA)
• As+离子注入GaAs
• 调Q锁模
• Nd:YVO4晶体 Diode laser array(LDA)
• As+ ion-implanted GaAs
• Q-switching mode locking
• Nd∶YVO4 crystal

用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.

• 单位
  山东理工大学; 南开大学