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摘要
本发明公开了一种基于水平嵌入式电容的GaN功率模块,该功率模块包括：印刷电路板、水平嵌入于印刷电路板中的解耦电容、位于印刷电路板一侧的第一GaN器件和第二GaN器件、位于第一GaN器件和第二GaN器件远离印刷电路板一侧的基板；其中,第一GaN器件、第二GaN器件与解耦电容形成功率环路。本发明通过将解耦电容水平嵌入在PCB中,减小了功率环路的面积,进而通过减小自感来减小寄生电感。此外,上述GaN功率模块还包括散热装置如翅片散热器,或者可通过氟化液来散热,使得GaN器件能够在高温环境下保持相对稳定的温度,并避免温度过高导致功率模块的损坏。
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