传统有限元方法(FEM)在预测屏蔽微带线横截面电势时存在效率低、精度差的缺陷，针对这种情况，构造了一种屏蔽微带线电势模拟的光滑有限元(S-FEM)数值模型。基于三角形背景网格的边、节点构建光滑域，依托梯度光滑技术(GST)对电势梯度进行光滑处理，最后根据光滑Galerkin弱形式得到系统离散方程。应用构造方法对屏蔽单微带线、屏蔽耦合微带线静电场进行了模拟，结果表明:相比FEM,S-FEM能有效提升计算效率与精度，在屏蔽微带线的设计研究中具有一定应用价值。
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