磷钨酸衍生Sn掺杂氧化钨纳米材料的制备及气敏性能

作者：徐甲强^*; 吴越

来源：河南师范大学学报(自然科学版), 2023, 51(01): 20-171.

DOI：10.16366/j.cnki.1000-2367.2023.01.003

• Sn掺杂氧化钨
• 硫化氢
• 气体传感器
• MEMS传感器
• 气敏机理

采用简便的液相离子交换法制备了Sn掺杂磷钨酸，并通过煅烧衍生出Sn掺杂的氧化钨气敏材料.将材料制成MEMS(微机电系统)气体传感器测量了合成材料的气敏性能.测试结果表明，所得材料对硫化氢气体具有良好的选择性，检测限低至1×10-6(体积分数),且在一定的体积浓度范围内具有良好的线性响应.XRD测试证明了Sn元素的成功掺杂，紫外可见漫反射光谱测定了Sn掺杂后带隙的变化，将其应用于讨论Sn掺杂的气敏增强机理.

• 单位
  上海大学