摘要
本文利用高阻抗微波谐振腔实现了两个半导体量子比特间的长程耦合,并在此基础上进一步开发了一种新型谱学方法,快速、直观地表征了量子比特之间的耦合关系.运用该谱学方法,实验上测量得到一系列随隧穿耦合速率变化的独特、高辨识度的图谱,且通过这些图谱可以快速定性地判断两个比特的耦合区间,并与利用Tavis-Cummings模型得到的模拟结果高度一致.本文从一个新的角度(参数空间)对腔电动力学杂化系统进行表征,提供了一种在多比特情况下也适用的新型谱学表征方法,有效提高了表征多比特杂化系统、调制比特参数的效率,为研究以光子为耦合媒介的多比特系统相互作用提供了新的研究思路.
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单位中国科学院; 中国科学技术大学