摘要
实现新型高理论比容量负极材料的应用是开发新一代高能量密度锂离子电池的关键。硅具有4 200 mA·h/g的高理论比容量,远高于商业化石墨负极的比容量,因此在高能量密度锂离子电池的开发中有很好的应用前景。然而硅导电性差,在充放电过程中会发生巨大的体积膨胀而使电极粉化,造成电池性能急剧下降。基于此,本文以聚多巴胺(PDA)作为碳源,采用自模板法成功制备了具有中空结构的硅/碳复合材料(Si@void@C-PDA),主要步骤如下:先利用多巴胺(DA)与Si亲和力较高的特性,在纳米Si颗粒表面原位聚合形成PDA包覆层(对应样品记为Si@PDA),然后通过碳化来实现对硅材料的碳包覆改性(对应样品记为Si@C-PDA),最后采用Na OH溶液对Si@C-PDA进行蚀刻,得到具有中空结构的Si@void@C-PDA。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分析了上述材料的结构,结果显示经过Na OH蚀刻后成功制备了具有中空结构的硅/碳复合材料。对材料进行电化学性能研究的结果表明,改性后的硅材料在电池中的界面阻抗明显降低。进一步的倍率性能测试表明,Si@void@C-PDA表现出了更高的可逆容量。在0.5C倍率下充放电循环120次以后,Si@void@C-PDA和Si的可逆容量分别为1 290 mA·h/g和848 mA·h/g。这些结果都表明采取自模板法中空结构的改性策略有助于提高硅基负极材料的电化学性能,对推动硅负极材料在新一代高能量密度锂离子电池的应用提供了设计参考。
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