非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计

作者：叶勇; 亢勇; 景蔚亮; 杜源; 宋志棠; 陈邦明

来源：微电子学与计算机, 2017, 34(11): 1-5.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2017.11.001

• 神经元
• 突触
• 非易失性
• 相变存储器
• 人工神经网络

传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室