Sm填充型方钴矿化合物的高温高压合成及电输运特性研究

作者：姜一平; 贾晓鹏; 宿太超; 董楠; 邓乐; 马红安

来源：原子与分子物理学报, 2009, (04): 725-728.

• Sm
• 方钴矿
• 高温高压
• 热电材料 Sm
• skutterudite
• HPHT
• TE Materials

利用高温高压方法在2～5.0 GPa和900 K的合成条件下成功合成出系列立方相Sm填充型方钴矿化合物Sm_xCo_4Sb_12(x=0.2,0.6,0.8)体热电材料,并系统地研究了合成压力及不同的Sm填充分数对其室温下的电输运特性(电阻率、Seeddeck系数、功率因子)的影响.研究结果表明,Sm填充型方钴矿化合物Sm_xCo_4Sb_12为n型半导体.在不同压力下,随着Sm填充分数的增加,Seeddeck系数的绝对值和电阻率均呈现降低趋势.在2 GPa,900 K条件下合成的Sm_0.8Co_4Sb_12化合物功率因子达到最大值5.88μw/(cm·K2).

• 单位
  物理学院; 吉林大学; 北华大学; 超硬材料国家重点实验室