晶背污染主要发生在后道的图形化工艺过程中，晶背污染产生的根源在于光刻胶黏度值大、易挥发等。根据晶背污染的产生根源，介绍了两种解决晶背污染的实用办法，第一种采用相似相溶的原理，第二种是在第一种相似相溶的原理的基础上，改变了腔体内的气流环境。这两种消除晶背污染的方法，适用于大多数匀胶显影工艺生产过程中产生晶圆背部被光刻胶污染的情况，以供大家参考和解决问题。
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