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摘要
本发明属于混维光电二极管技术领域,公开了一种基于硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结的光电二极管及其制备方法和应用。所述光电二极管的结构为硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结,分别在硫硒化亚锡纳米片和GaAs上蒸镀Au电极,在保护气体中150～250℃进行退火处理制得。所述异质结是将硫硒化亚锡纳米片转移至GaAs窗口上形成,所述GaAs窗口是在GaAs上沉积介质层薄膜,经光刻和刻蚀液刻蚀介质层得到。本发明的异质结的光电二极管具有明显的整流行为,并在400-1200nm宽谱波段具有优异的自驱动光响应性能和波长选择偏振探测特性,可用于光伏器件和偏振红外成像设备领域中。
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