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摘要
目的 在反应速率温和的前提下，在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面，研究H_2O_2浓度对铜纳米颗粒的沉积及刻蚀行为的影响。方法 利用铜纳米粒子催化刻蚀方法对金刚线切割n型单晶硅进行表面织构化处理，利用扫描电子显微镜观察制绒后硅片表面微观形貌，利用紫外-可见分光光度计测试并计算硅片表面反射率，并分析铜催化刻蚀形貌和刻蚀速率随温度、H_2O_2浓度的变化情况，讨论铜催化刻蚀过程中倒金字塔的形成机理以及H_2O_2浓度对硅片表面刻蚀形貌的影响规律。结果 双氧水浓度通过控制铜纳米颗粒在硅片表面的沉积-氧化平衡，来影响铜颗粒的沉积状态，并最终影响刻蚀过程。随着H_2O_2浓度的提高，刻蚀速率先升高、后降低，最后趋于平稳。同时，刻蚀过程将产生四个阶段的结构演化。结论 H_2O_2在铜催化化学刻蚀过程中起着重要作用，调节H_2O_2浓度可控制铜纳米颗粒的沉积-氧化平衡，进而在硅片表面形成形貌均匀且反射率低的倒金字塔结构。40℃下，H_2O_2浓度为1.6mol/L时，可在金刚线切割n型单晶硅片上成功制备出均匀的倒金字塔结构，表面反射率降低至6.4%，且反应速率温和（0.23μm/min），硅片减薄量低（3.5μm）。
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