AlOx(PI)/HfOx界面调控的阻变开关行为

作者：尹彬沣^*; 王永志; 万心华; 周腾

来源：扬州大学学报(自然科学版), 2021, 24(01): 35-40.

DOI：10.19411/j.1007-824x.2021.01.007

• 氧化铪
• 阻变存储器
• 均匀性
• 开关比
• 阻变开关

为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfOx)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加入聚酰亚胺(polyimide, PI)薄层,采用光刻工艺制备Ti/AlOx(PI)/HfOx/Pt和Ti/HfOx/Pt结构的阻变存储器.利用扫描电子显微镜表征分析器件的电极形貌,通过电学测试分析器件的I-V特性和稳定性,采用线性拟合和电场模拟的方法分析Ti/PI/HfOx/Pt结构器件的阻变开关机理.结果显示,Ti/PI/HfOx/Pt结构器件无需激活过程,其开关比高达2 000,且复位均匀性优越,数据保持时间高于103 s,充分展现了PI对HfOx与Ti电极界面调控的优势.

• 单位
  海南大学; 扬州大学; 机电工程学院