一种低功耗245 GHz次谐波接收机

作者：毛燕飞; 鄂世举^*; SCHMALZ Klaus; SCHEYTT J.Christoph

来源：红外与毫米波学报, 2019, 38(06): 739-744.

• 245 GHz
• 次谐波接收机
• 锗硅BiCMOS工艺
• 低功耗
• 共基极低噪声放大器
• 二次次谐波无源反接并联二极管对混频器
• 中频放大器

介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.

• 单位
  东南大学; 毫米波国家重点实验室; 浙江师范大学