一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法

作者：张鹏; 刘加志; 宓珉翰; 祝杰杰; 马晓华; 雷文波

来源：2023-09-25, 中国, CN202311243651.9.

本发明公开了一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管,包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层；势垒层的表面的两侧还设置有源极和漏极；钝化层位于源极和漏极之间；钝化层开设有贯穿钝化层的栅脚槽；栅脚槽内设置有栅脚,栅脚上覆盖有栅帽。本发明还公开了一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管的制备方法。本发明利用电场调制效应,通过栅脚槽的形状能够形成斜栅,来调制器件栅极电场分布,利用多阈值耦合技术去提高器件的线性度。本发明的平面斜栅结构不需要刻蚀出纳米沟道,可以避免因为干法刻蚀势垒层给器件带来的缺陷和损伤,以及不会减小沟道的有效宽度,从而降低对饱和电流的影响,且工艺简单。

• 单位
  西安电子科技大学