基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器

作者：张翼^*; 刘中华; 郭宇锋; 孟桥; 李晓鹏; 张有涛

来源：微电子学, 2018, 48(04): 471-479.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170486

• 采保放大器
• 开关射极跟随
• 前馈电容
• BiCMOS

基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7dB,核心电路的功耗为29.2mW,时钟缓冲电路的功耗为7mW。该采保放大器的性能良好。

• 单位
  南京国博电子有限公司; 江苏亨鑫科技有限公司; 毫米波国家重点实验室; 东南大学; 南京邮电大学