Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

作者：李冰冰; 张贺秋^*; 刘旭阳; 刘俊; 薛东阳; 梁红伟; 夏晓川

来源：大连理工大学学报, 2020, 60(02): 137-141.

• 高电子迁移率晶体管
• 欧姆接触
• 退火
• 比接触电阻率

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃, Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.

• 单位
  大连理工大学