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摘要
采用高温固相法制备了2个系列的荧光粉样品：Ba2-xZnGe2O7∶x Bi3+(系列Ⅰ)和Ba1.994-yKy ZnGe2O7∶0.006Bi3+(系列Ⅱ)。X射线衍射(XRD)测试结果表明，少量Bi3+、K+的掺杂不会明显改变材料的物相结构。样品的荧光光谱测试结果表明，虽然2个系列样品的发光光谱都随组成成分变化有少量变化，但发光颜色基本上均为黄绿色。在358 nm的激发下，荧光粉的发射光谱呈现一个峰值在500 nm的宽发射带，归属于3P1→1S0能级跃迁。在500 nm监测下，荧光粉的最强激发峰位于358 nm，归属于1S0→3P1能级跃迁，此外还有一个位于320 nm的肩峰归属于O2--Bi3+电荷转移带。系列Ⅰ样品的光谱数据结果指出，Bi3+的最佳掺杂量x为0.006。在该基质中，Bi3+掺杂取代Ba2+属于不等价取代，会在晶格中产生Ba2+空位或间隙O2-，对材料的发光强度产生负面影响。对此，采用K+与Bi3+协同掺杂起到电荷补偿的作用，填补Ba2+空位或捕获间隙O2-缺陷。空位被填补或间隙被捕获均减少了晶格畸变，从而使发光强度明显提高。系列Ⅱ样品的光谱数据表明，完全电荷补偿的荧光粉样品相比于没有掺K+的样品，其发光强度提高了约2.5倍。
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