一种基于FVF结构的快瞬态响应LDO设计

作者：刘兴; 胡毅; 马永旺; 李振国; 冯曦; 冯文楠; 唐晓柯

来源：微电子学, 2020, 50(04): 509-513.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190532

• 无片外电容LDO
• FVF
• 快瞬态响应
• 宽电源电压范围
• MCU

提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电。该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成。采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应。电路采用UMC 55 nm工艺设计实现,使用Spectre软件进行了仿真验证。仿真结果表明,当负载电流以10 ps的跳变边沿在0～10 mA范围变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为109 mV、153 mV。在输入电压2～3.6 V范围内,线性调整率和负载调整率分别为2.6 mV·V-1和0.5 mV·mA-1。

• 单位
  北京智芯微电子科技有限公司; 国家电网公司