沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响

作者：张渭阳; 郭领军; 王少龙; 景伟; 付前刚

来源：固体火箭技术, 2014, 37(05): 724-733.

• 低压化学气相沉积
• 沉积位置
• Si C涂层
• 微观结构

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在炭纤维表面制备了Si C涂层,借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置Si C涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。SEM结果表明,沿气流方向,涂层表面逐渐致密和均匀;Si C涂层为多层结构,这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点,从而通过活性点的阻塞机制来阻止Si C晶粒的生长。XRD结果表明,制备的涂层中存在自由碳,各位置处的Si C晶体在(111)晶面存在择优取向,且沿气流方向(111)晶面的取向性逐渐减弱,(220)和(311)晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱(200600cm-1)的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学