基于WSe2/GaAs的异质结光电探测器的研究

作者：李明; 陈博瀚; 何秀冬; 方昶月

来源：电子测试, 2021, (16): 5-7.

DOI：10.3969/j.issn.1000-8519.2021.16.001

• 光电探测器
• 磁控溅射
• WSe2
• 异质结

WSe2属于二维过渡族金属二硫化物(TMD),具有高迁移率,以及良好的稳定性.本文采用磁控溅射技术和硒化的方法生长了WSe2薄膜,并通过湿法转移的方法构建了WSe2/GaAs异质结光电探测器.通过对WSe2薄膜成分和形貌的表征以及对器件电学性能参数的测试,结果表明,器件具有自驱动能力,在波长为808nm、强度为121 mW/cm2的光照下,器件的开关比可达16.6×104,同时具有毫秒以下的响应速度和持续稳定工作的能力.

• 单位
  物理学院; 合肥工业大学