Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响

作者：张仕凯; 张宝林; 史志锋; 王辉; 夏晓川; 伍斌; 蔡旭浦; 高榕; 董鑫; 杜国同

来源：发光学报, 2021, 33(09): 934-938.

• MOCVD
• ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜
• 射频磁控溅射
• 退火温度

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。