一种制备多层石墨烯薄膜的方法

作者：史永贵; 郝跃; 王东; 张进成; 张春福; 张鹏

来源：2014-07-16, 中国, CN201410153494.7.

本发明公开了一种多层石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)将处理过的Cu衬底放入特制的CVD生长腔中，抽真空至10～10-5 Pa；2)向反应室内充入流量为5～500sccm的高纯H2，生长腔内压力为10～500Pa，加热至850～1075℃；3)向生长腔内充入流量为5～500sccm的高纯CH4，生长腔内压力为10～1500Pa，衬底温度为850～1075℃，保温生长1～400min；4)保持工序(2)和(3)中H2和CH4的流量不变，关闭加热电源，打开炉盖，快速降温，完成多层石墨烯薄膜的生长；5)温度降至50℃以下，关闭H2和CH4，充入Ar气，得到多层石墨烯薄膜。本发明工艺简单，生产周期短，可提供大面积、高均匀性的多层石墨烯薄膜，可直接进行工业化应用。