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摘要
针对磁屏蔽体在低频脉冲磁场环境中可能存在的磁饱和问题，利用试验方法开展了磁饱和效应研究，证实了常规工程屏蔽体可在低频脉冲磁场环境中达到磁饱和状态，并通过观测屏蔽效能的变化获得了磁饱和规律，同时分析了磁饱和效应对屏蔽效能的影响及其与屏蔽体的材料磁导率、壳体厚度、外形尺寸等参数的关系.研究表明：磁屏蔽体屏蔽效能在磁饱和效应影响下，呈现出明显的动态变化特点，具有与屏蔽壳体磁导率类似的变化趋势；壳体厚度2 mm以内、长宽高为2 m×2 m×2 m左右的屏蔽体在上升时间为300μs、持续时间为1.2 ms的磁场环境中，达到磁饱和状态的磁化场强度约为10 mT，其磁饱和难易程度与磁导率及外形尺寸负相关，与壳体厚度正相关.试验研究结果与理论分析结论一致，可为磁屏蔽体的科学合理设计提供参考，具有较高的工程应用价值.
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单位中国人民解放军陆军工程大学
