基于Datasheet的两电平逆变器损耗模型研究

作者：洪欣雨; 朱长青

来源：华北电力大学学报(自然科学版), 2021, 48(03): 47-56.

• SPWM
• SiC-MOSFET
• 开关损耗
• 损耗模型
• 数据拟合

为进一步提高市电领域中应用广泛的SPWM两电平逆变器输出效率并降低器件损耗,深入分析了双极性调制模式下的两电平无源逆变电源的工作过程,建立了基于数学分析方法的损耗模型并进行了仿真验证。采用基于非理想条件下的CMF10120D型SiC-MOS管与C4D05120A型SiC肖特基二极管(SBD),通过数据提取工具image2data与数据拟合方法获得Datasheet内功率管损耗与漏极电流、结温函数关系式,建立SiC-MOS与SBD的影响因子函数,最终得出两电平逆变器损耗模型。仿真分析表明所建立的模型正确可靠,脉冲宽度相对误差计算控制在0.75%以下,具有实用价值,能够为后续开展实验研究提供理论支撑。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学