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摘要
本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网,所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用,同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒,所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用,所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方,对带正电离子起加速作用,所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方,对电子起阻挡作用,解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题,同时引出、离子加速栅网在基片前,解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置,对传统弧源进行改造,同时该装置适用性较广。
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