InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格能带结构研究

作者：李俊斌; 刘爱民; 蒋志; 孔金丞^*; 李东升; 李艳辉; 周旭昌; 杨雯

来源：红外技术, 2021, 43(07): 622-628.

• k·p方法
• InAs/GaSb超晶格
• M结构超晶格
• 能带结构
• 掺杂浓度

本文通过k·p方法研究了传统InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格的能带结构。首先,计算了不同周期厚度的InAs/GaSb超晶格的能带结构,得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构。然后,计算了用于超晶格长波探测器结构的M结构超晶格的能带结构,并给出长波InAs/GaSb超晶格与M结构超晶格之间的带阶。最后,基于能带结构,计算出长波超晶格与M结构超晶格的态密度,进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系。这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础。

• 单位
  昆明物理研究所; 物理学院; 大连理工大学