SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征

作者：郁万成; 陈秀芳; 孙丽; 胡小波; 徐现刚; 赵显

来源：人工晶体学报, 2015, 44(12): 3384-3394.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.12.003

• 石墨烯
• 碳化硅
• 热解法

使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间。利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征。样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成。对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比。结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放。为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室