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摘要
本发明提供一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料及其制备方法,其中制备方法为：将1~4份二氧化硅、1~5份三氧化二铝、3~8份磷酸钾、1~4份三氧化二硼以及0.2~1.5份氧化钙进行混合后研磨至粉末,与80~90份碳化硼粉末混合均匀,压制成型,在500~550℃空气气氛中低温烧结,得到硼含量为63~71 wt%的中子屏蔽材料。由于采用上述比例混合的二氧化硅、三氧化二铝、磷酸钾、三氧化二硼和氧化钙作为烧结助剂加入到碳化硼中进行均匀混合,只需要在500~550℃的温度条件以及在空气气氛中进行低温烧结,简化了现有的制备工艺,而且上述烧结助剂在该工艺条件下能够包裹碳化硼基体形成非常致密的防辐射层,中子屏蔽材料高硼无氢且具有高强度性能。
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