集成双波导量子阱结构半导体光放大器的能带结构研究

作者：陈旭; 侯文雷; 黄俊嘉; 程大鹏

来源：电子世界, 2020, (07): 27-28.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.07.012

<正>运用k·p法分析了半导体的能带结构。基于Luttinger-Kohn模型,对量子阱结构半导体的能带结构进行了求解;而且对考虑价带混合效应的应变量子阱的能带结构进行了数值分析。基于集成双波导半导体光放大器的光开关矩阵在全光包交换、全光波长转换方面具有明显的优势,而集成双波导半导体光放大

• 单位
  广西警察学院; 中国电子科技集团公司第三十四研究所