纳米晶合金晶粒尺寸与体积分数对高频磁损耗特性影响分析

作者：代岭均; 邹亮^*; 郭凯航; 张黎; 李永建; 孙秋霞

来源：电工技术学报, 2023, 38(18): 4853-4863.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221704

• 纳米晶合金
• 晶粒尺寸
• 体积分数
• 高频磁损耗

为明确纳米晶合金高频磁损耗与其微观结构的关系，基于随机各向异性理论，建立了介观尺度下纳米晶合金的三维模型。以晶体相体积分数V和晶粒尺寸d为研究参数，从介观层面探究了微观结构的变化对高频磁损耗pv的影响，并得出材料pv与V和d的函数关系式。结果表明：材料pv会随着V和d的增加而增加，且d对于材料pv的影响更为显著。当外部磁场频率保持10 kHz不变、V从60%增大为80%时，材料pv增长率为27.11%；相应地，d从6 nm增大到15 nm时，材料pv增长率为51.83%。从三者之间的函数关系式也可看出，晶粒尺寸d和体积分数V都与高频磁损耗pv正相关，但两者的指数系数却不相同，d的指数系数大于V的指数系数，因此，d的变化对于材料pv的影响更为显著。

• 单位
  山东大学; 河北工业大学; 国网辽宁省电力有限公司大连供电公司