优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

作者：杜江锋; 罗大为; 罗谦; 卢盛辉; 于奇; 杨谟华

来源：半导体技术, 2008, S1: 105-108.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.050

• GaN高电子迁移率晶体管
• 沟道电子温度
• 场板
• 电流崩塌 GaN HEMT
• channel electron temperature
• field plate
• current collapse

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm,栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47%。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学