一维碳化硅纳米材料不但具有块体Si C材料的高强度、高硬度、高耐磨性、耐腐蚀性、抗氧化性、高温化学稳定性等优异的综合性能,还具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率等特殊性能,因而备受关注。本文介绍了其微观结构、性能、应用、生长机理和制备方法;并对一维SiC纳米材料研究工作进行一定的展望。
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