斜切角对β-Ga2O3(100)面衬底加工的影响研究

作者：李信儒; 侯童; 马旭; 王佩; 李阳; 穆文祥^*; 贾志泰^*; 陶绪堂

来源：人工晶体学报, 2023, 52(09): 1570-1575.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20230516.001

• β-Ga2O3
• 解理
• 斜切角
• 抛光
• 表面粗糙度

本文研究了斜切角的引入对β-Ga2O3(100)面衬底加工的影响，分析了斜切角分别为0°、1°、6°时，(100)面衬底在加工过程中的形貌变化及不同抛光参数对衬底抛光的影响。实验结果表明，随着斜切角的增大，(100)面衬底在加工过程中的解理损伤问题得以改善，加工后表面粗糙度降低，材料去除方式出现了脆性去除-脆塑性混合去除-塑性去除的转变。较小的抛光压力可以有效减少解理损伤，改善表面质量。斜切角为6°时的(100)面衬底抛光效率高，抛光后表面粗糙度可达到Ra≤0.2 nm。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室