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摘要
本发明公开了具有P-GaN栅源桥的鳍式增强型高Al组分氮化镓功率器件,主要解决现有同类器件阈值电压低、击穿电压低、栅控能力差的问题。其自下而上包括：包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、高Al组分AlGaN沟道层(4)、势垒层(5)、P-GaN帽层(6)、栅源桥(7)及栅电极(8),其源、漏电极(9,10)分布在势垒层的两端。该沟道层与势垒层两者组成鳍式纳米沟道；该衬底层和缓冲层之间增设的成核层,以减小晶格失配度和层间应力；该P-GaN帽层覆盖在鳍式纳米沟道的两侧和顶部,其外分布鳍式栅电极(8)。本发明阈值电压高、击穿电压大、栅控能力强,性能大幅提升,可应用于大功率高速开关器件。
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