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摘要
基于微凸点和硅通孔的3D封装是一种通过多层芯片垂直互连堆叠，将芯片技术与封装技术进行结合的新技术，满足了电子产品微型化、高性能的发展需求，是实现下一代超大规模集成微系统的核心互连技术。3D封装技术对互连焊点有一个特殊的要求，即在向上堆叠芯片时，低级封装的焊点不应被重新熔化。低温下制备全金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)微焊点为实现叠层芯片互连提供了新的解决方案。本文对近年来全IMC微焊点的制备工艺和基本原理进行综合分析；揭示Cu-Sn系统界面反应的扩散机制及IMC生长动力学规律；对比不同键合参数下全IMC微焊点的服役可靠性。最后，指出各种全IMC微焊点制备工艺的优缺点，并对其未来研究发展趋势进行展望。
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