28nm栅极顶部锗硅冗余生长缺陷的优化分析

作者：冯奇艳

来源：集成电路应用, 2022, 39(08): 32-34.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.08.013

• 集成电路制造
• 锗硅工艺缺陷
• 锗硅冗余生长
• 氮化硅残留量
• 栅极
• 栅极掩模层

阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理，工艺流程改进，控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷，探讨锗硅沟槽刻蚀的调整和调整栅极氮化硅掩模层厚度来增加栅极氮化硅掩模层的残留量，使栅极顶部边缘得以充分保护，在锗硅外延工艺中不产生冗余生长物。