超宽带硅基三维集成四通道收发微模组

作者：陶洪琪; 张君直; 张皓; 蔡传涛; 黄旼; 张洪泽; 焦宗磊; 朱健

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(04): 341.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.04.014

<正>南京电子器件研究所大力推进射频组件芯片化技术发展,在国内首先提出了五层硅基晶圆级堆叠架构(图1),在8英寸硅晶圆上,通过基于TSV射频转接板的三维集成先进工艺技术,制备出首款2～18 GHz硅基三维集成四通道收发微模组,模组大小为17 mm×17 mm×1.8 mm(图2),连续波输出功率大于29 dBm,发射电流小于0.8 A(图3),衰减态精度小于±(0.3+6%标称值)dB(图4)。基于成熟的TSV制造工艺,实现了多层硅基转接板间的射频垂直传输,通过硅腔技术大幅提升模组的稳定性和通道间隔离度,可靠的多层晶圆键合能力确保了模组的密封性能。该微模组的研制为高密度、高可靠性、高性能收发组件的开发奠定了基础。