a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究

作者：潘东; 向超; 殷波; 李勇男; 汤猛; 钟传杰

来源：微电子学, 2018, 48(04): 533-547.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170437

• a-IGZO
• a-IZO
• 双有源层
• 异质结
• 态密度

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。

• 单位
  江南大学; 机械工业第六设计研究院