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摘要
利用飞行时间谱仪 (TOF)技术测量了 1— 5MeVSi离子轰击SiO2 产生的Si+ 二次离子动能分布和溅射产额 .实验发现 ,当入射离子能量在 1— 2MeV时 ,溅射产额随离子能量上升而下降 ,这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释 ;当入射离子能量高于 3MeV时 ,溅射产额随离子能量上升而增加 ,电子溅射机理开始占主要地位 ,并且溅射规律与热峰模型的预期符合 .通过对实验结果的综合分析 ,得到了重离子溅射SiO2 的普适溅射产额公式 .
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单位北京大学; 日本 京都大学; 日本京都大学
