一种高α相氮化硅粉体及其制备方法

作者：张海军; 韩磊; 张少伟

来源：2020-04-24, 中国, ZL202010334670.2.

本发明涉及一种高α相氮化硅粉体及其制备方法。其技术方案是：按发泡剂∶Si粉∶熔盐∶去离子水的质量比为(0.025～1.25)∶(50～85)∶(0～25.5)∶100配料；将发泡剂加入去离子水中,混合,制得泡沫溶液；再将Si粉和熔盐、或将Si粉加入到泡沫溶液中,机械搅拌,制得氮化硅多孔陶瓷浆料；将氮化硅多孔陶瓷浆料注浆成型,脱模,干燥,制得氮化硅多孔陶瓷坯体；然后将所述氮化硅多孔陶瓷坯体在1300～1450℃和流通氮气条件下保温4～8h,研磨,制得高α相氮化硅粉体。本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、污染小、合成温度低和生产成本低的特点；所制备的高α相氮化硅粉体具有纯度高、杂质含量低和产业前景大的优点。

• 单位
  武汉科技大学